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第1题
三极管的发射结正偏，集电结反偏时，三极管处于（）。
A.
放大状态
B.
饱和状态
C.
截止状态
D.
击穿状态
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第2题
晶体三极管处于放大状态的外部条件是发射结正偏，集电结反偏，且发射结正偏电压必须大于死区电压。
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第3题
晶体三极管处于放大状态的外部条件是发射结正偏，集电结反偏，且发射结正偏电压必须大于死区电压。
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第4题
晶体三极管处于放大状态的外部条件是发射结正偏，集电结反偏，且发射结正偏电压必须大于死区电压。
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第5题
晶体三极管处于放大状态的外部条件是发射结正偏，集电结反偏，且发射结正偏电压必须大于死区电压。
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第6题
晶体三极管处于放大状态的外部条件是发射结正偏，集电结反偏，且发射结正偏电压必须大于死区电压。
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第7题
晶体三极管工作在放大状态的条件是（）。
A.
发射极反偏，集电极正偏
B.
发射极反偏，集电极反偏
C.
发射极正偏，集电极正偏
D.
发射极正偏，集电极反偏
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第8题
三极管工作于放大状态的条件是（）。
A.
发射结正偏，集电结反偏
B.
发射结正偏，集电结正偏
C.
发射结反偏，集电结正偏
D.
发射结反偏，集电结反偏
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第9题
三极管有三个PN结和三个区：发射区、集电区、基区。
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第10题
三极管有三个PN结和三个区：发射区、集电区、基区。
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第11题
三极管有三个PN结和三个区：发射区、集电区、基区。
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第12题
三极管有三个PN结和三个区：发射区、集电区、基区。
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第13题
三极管有三个PN结和三个区：发射区、集电区、基区。
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第14题
无论在任何情况下，三极管都具有电流放大功能。
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第15题
若晶体三极管发射结正反向电阻值都很小或为零，则表示发射结已被击穿。
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第16题
若晶体三极管发射结正反向电阻值都很小或为零，则表示发射结已被击穿。
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第17题
若晶体三极管发射结正反向电阻值都很小或为零，则表示发射结已被击穿。
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第18题
若晶体三极管发射结正反向电阻值都很小或为零，则表示发射结已被击穿。
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第19题
若晶体三极管发射结正反向电阻值都很小或为零，则表示发射结已被击穿。
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第20题
由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中，电压放大倍数最小的是（）。
A.
共发射极电路
B.
共集电极电路
C.
共基极电路
D.
三者差不多
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第21题
由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中，电压放大倍数最小的是（）。
A.
共发射极电路
B.
共集电极电路
C.
共基极电路
D.
三者差不多
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第22题
由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中，电压放大倍数最小的是（）。
A.
共发射极电路
B.
共集电极电路
C.
共基极电路
D.
三者差不多
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第23题
由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中，电压放大倍数最小的是（）。
A.
共发射极电路
B.
共集电极电路
C.
共基极电路
D.
三者差不多
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第24题
由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中，电压放大倍数最小的是（）。
A.
共发射极电路
B.
共集电极电路
C.
共基极电路
D.
三者差不多
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第25题
高频振荡电感型接近开关主要由感应头、振荡器、（）、输出电路等组成。
A.
继电器
B.
开关器
C.
发光二极管
D.
光电三极管
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第26题
将输出信号从晶体管（）引出的放大电路称为射极输出器。
A.
基极
B.
发射极
C.
集电极
D.
栅极
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第27题
为了降低电力晶体管在开关状态转换过程中的损耗，提高系统的安全可靠性，必须采用合理的（）驱动电路。
A.
基极
B.
集电极
C.
栅极
D.
发射极
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第28题
将输出信号从晶体管（）引出的放大电路称为射极输出器。
A.
基极
B.
发射极
C.
集电极
D.
栅极
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第29题
为了降低电力晶体管在开关状态转换过程中的损耗，提高系统的安全可靠性，必须采用合理的（）驱动电路。
A.
基极
B.
集电极
C.
栅极
D.
发射极
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第30题
将输出信号从晶体管（）引出的放大电路称为射极输出器。
A.
基极
B.
发射极
C.
集电极
D.
栅极
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第31题
将输出信号从晶体管（）引出的放大电路称为射极输出器。
A.
基极
B.
发射极
C.
集电极
D.
栅极
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第32题
为了降低电力晶体管在开关状态转换过程中的损耗，提高系统的安全可靠性，必须采用合理的（）驱动电路。
A.
基极
B.
集电极
C.
栅极
D.
发射极
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第33题
将输出信号从晶体管（）引出的放大电路称为射极输出器。
A.
基极
B.
发射极
C.
集电极
D.
栅极
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第34题
为了降低电力晶体管在开关状态转换过程中的损耗，提高系统的安全可靠性，必须采用合理的（）驱动电路。
A.
基极
B.
集电极
C.
栅极
D.
发射极
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第35题
为了降低电力晶体管在开关状态转换过程中的损耗，提高系统的安全可靠性，必须采用合理的（）驱动电路。
A.
基极
B.
集电极
C.
栅极
D.
发射极
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第36题
有关二极管的叙述错误的是（）。
A.
二极管是由一个PN结构成的
B.
面接触型二极管极间电容大宜用于高频电路中
C.
稳压管是一种用特殊工艺制造的面接触型硅半导体二极管
D.
二极管按PN结的材料可分为硅二极管和锗二极管
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第37题
有关二极管的叙述错误的是（）。
A.
二极管是由一个PN结构成的
B.
面接触型二极管极间电容大宜用于高频电路中
C.
稳压管是一种用特殊工艺制造的面接触型硅半导体二极管
D.
二极管按PN结的材料可分为硅二极管和锗二极管
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第38题
有关二极管的叙述错误的是（）。
A.
二极管是由一个PN结构成的
B.
面接触型二极管极间电容大宜用于高频电路中
C.
稳压管是一种用特殊工艺制造的面接触型硅半导体二极管
D.
二极管按PN结的材料可分为硅二极管和锗二极管
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第39题
有关二极管的叙述错误的是（）。
A.
二极管是由一个PN结构成的
B.
面接触型二极管极间电容大宜用于高频电路中
C.
稳压管是一种用特殊工艺制造的面接触型硅半导体二极管
D.
二极管按PN结的材料可分为硅二极管和锗二极管
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第40题
有关二极管的叙述错误的是（）。
A.
二极管是由一个PN结构成的
B.
面接触型二极管极间电容大宜用于高频电路中
C.
稳压管是一种用特殊工艺制造的面接触型硅半导体二极管
D.
二极管按PN结的材料可分为硅二极管和锗二极管
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第41题
不能用万用表进行检测的是（）。
A.
二极管
B.
三极管
C.
绝缘电阻
D.
绕组的极性
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第42题
不能用万用表进行检测的是（）。
A.
二极管
B.
三极管
C.
绝缘电阻
D.
绕组的极性
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第43题
不能用万用表进行检测的是（）。
A.
二极管
B.
三极管
C.
绝缘电阻
D.
绕组的极性
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第44题
不能用万用表进行检测的是（）。
A.
二极管
B.
三极管
C.
绝缘电阻
D.
绕组的极性
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第45题
不能用万用表进行检测的是（）。
A.
二极管
B.
三极管
C.
绝缘电阻
D.
绕组的极性
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第46题
三极管超过（）时，必定会损坏。
A.
集电极最大允许电流Icm
B.
管子的电流放大倍数β
C.
集电极最大允许耗散功率Pcm
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第47题
在饱和区内，当（）时候，集电结处于正向偏置，晶体管处于饱和状态。
A.
√Uce＜Ube
B.
Uce＞Ube
C.
Uce=Ube
D.
Uce≥Ube
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第48题
当品体管接成共发射极电路，在静态时（）的比值称为共发射极静态放大系数。
A.
集电极电流Ic与基极电流Ib
B.
集电极电流Ic与发射极电流Ie
C.
发射极电流Ie与基极电流Ib
D.
基极电流Ib与集电极电流Ic
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第49题
NPN型三极管处于放大状态时，各极电位的关系是（）。
A.
Uc>Ub>Ue
B.
Uc<Ub<Ue
C.
Uc>Ue>Ub
D.
Uc=Ub=Ue
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第50题
NPN型三极管处于放大状态时，各极电位的关系是（）。
A.
Uc>Ub>Ue
B.
Uc<Ub<Ue
C.
Uc>Ue>Ub
D.
Uc=Ub=Ue
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搜题
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