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首页>试题列表>晶体三极管处于放大状态的外部条件是发射结正偏,集电结反偏,且发射结正偏电压必须大于死区电压。
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[判断题]

晶体三极管处于放大状态的外部条件是发射结正偏,集电结反偏,且发射结正偏电压必须大于死区电压。

A. 正确

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第1题

晶体三极管处于放大状态的外部条件是发射结正偏,集电结反偏,且发射结正偏电压必须大于死区电压。

A. 正确

B. 错误

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第2题

晶体三极管处于放大状态的外部条件是发射结正偏,集电结反偏,且发射结正偏电压必须大于死区电压。

A. 正确

B. 错误

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第3题

晶体三极管处于放大状态的外部条件是发射结正偏,集电结反偏,且发射结正偏电压必须大于死区电压。

A. 正确

B. 错误

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第4题

晶体三极管处于放大状态的外部条件是发射结正偏,集电结反偏,且发射结正偏电压必须大于死区电压。

A. 正确

B. 错误

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第5题

晶体三极管处于放大状态的外部条件是发射结正偏,集电结反偏,且发射结正偏电压必须大于死区电压。

A. 正确

B. 错误

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第6题

三极管工作于放大状态的条件是()。

A. 发射结正偏,集电结反偏

B. 发射结正偏,集电结正偏

C. 发射结反偏,集电结正偏

D. 发射结反偏,集电结反偏

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第7题

三极管的发射结正偏,集电结反偏时,三极管处于()。

A. 放大状态

B. 饱和状态

C. 截止状态

D. 击穿状态

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第8题

晶体三极管工作在放大状态的条件是()。

A. 发射极反偏,集电极正偏

B. 发射极反偏,集电极反偏

C. 发射极正偏,集电极正偏

D. 发射极正偏,集电极反偏

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第9题

在饱和区内,当()时候,集电结处于正向偏置,晶体管处于饱和状态。

A. √Uce<Ube

B. Uce>Ube

C. Uce=Ube

D. Uce≥Ube

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第10题

无论在任何情况下,三极管都具有电流放大功能。

A. 正确

B. 错误

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第11题

若晶体三极管发射结正反向电阻值都很小或为零,则表示发射结已被击穿。

A. 正确

B. 错误

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第12题

若晶体三极管发射结正反向电阻值都很小或为零,则表示发射结已被击穿。

A. 正确

B. 错误

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第13题

若晶体三极管发射结正反向电阻值都很小或为零,则表示发射结已被击穿。

A. 正确

B. 错误

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第14题

若晶体三极管发射结正反向电阻值都很小或为零,则表示发射结已被击穿。

A. 正确

B. 错误

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第15题

若晶体三极管发射结正反向电阻值都很小或为零,则表示发射结已被击穿。

A. 正确

B. 错误

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第16题

由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中,电压放大倍数最小的是()。

A. 共发射极电路

B. 共集电极电路

C. 共基极电路

D. 三者差不多

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第17题

由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中,电压放大倍数最小的是()。

A. 共发射极电路

B. 共集电极电路

C. 共基极电路

D. 三者差不多

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第18题

由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中,电压放大倍数最小的是()。

A. 共发射极电路

B. 共集电极电路

C. 共基极电路

D. 三者差不多

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第19题

由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中,电压放大倍数最小的是()。

A. 共发射极电路

B. 共集电极电路

C. 共基极电路

D. 三者差不多

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第20题

由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中,电压放大倍数最小的是()。

A. 共发射极电路

B. 共集电极电路

C. 共基极电路

D. 三者差不多

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第21题

三极管有三个PN结和三个区:发射区、集电区、基区。

A. 正确

B. 错误

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第22题

三极管有三个PN结和三个区:发射区、集电区、基区。

A. 正确

B. 错误

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第23题

三极管有三个PN结和三个区:发射区、集电区、基区。

A. 正确

B. 错误

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第24题

三极管有三个PN结和三个区:发射区、集电区、基区。

A. 正确

B. 错误

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第25题

三极管有三个PN结和三个区:发射区、集电区、基区。

A. 正确

B. 错误

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第26题

当品体管接成共发射极电路,在静态时()的比值称为共发射极静态放大系数。

A. 集电极电流Ic与基极电流Ib

B. 集电极电流Ic与发射极电流Ie

C. 发射极电流Ie与基极电流Ib

D. 基极电流Ib与集电极电流Ic

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第27题

要使二极管正向导通,外加正向电压必须大于二极管的死区电压。

A. 正确

B. 错误

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第28题

发生下列()故障情况之一时,电容器组应紧急退出运行。

A. 电压偏低

B. 电压偏高

C. 电流偏高

D. 绝缘套管严重闪络放电

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第29题

氩气的特点之一,在高温下不分解,不与金属起化学反应及()。

A. 能承受较大的焊接电流

B. 不溶解于液体金属

C. 有助于电子发射

D. 对空载电压无要求

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第30题

晶体管特性图示仪零电流开关的作用是测试管子的()。

A. 击穿电压、导通电流

B. 击穿电压、穿透电流

C. 反偏电压、穿透电流

D. 反偏电压、导通电流

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第31题

施工升降机的整机性能试验应具备的条件为()。

A. 相对湿度小于75%

B. 环境温度为-20℃~+40℃

C. 现场风速不应大于13m/s

D. 电源电压值偏差不大于±5%

E. 荷载的质量允许偏差不大于±1%

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第32题

以下说法正确的是()。

A. 欧姆定律适用于金属导体导电,电解液导电,电离后气体导电,或者是晶体二极管,晶体极管导电

B. 流过导体的电流与加在它两端的电压成正比,与导体的电阻成反比

C. 流过导体的电流与加在它两端的电压成反比,与导体的电阻成正比

D. 导体的电阻大小与加在导体两端的电压成正比,与通过导体的电流成反比流成反比

E. 欧姆定律只适用于纯电阻电路

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第33题

造成电弧产生磁偏吹的原因有以下几种:()。

A. 接地线位置不正确引起的电弧偏吹、铁磁性物质引起的磁偏吹、焊条与工件的相对位置不对称引起的电弧偏吹

B. 接地线位置不正确引起的电弧偏吹、铁磁性物质引起的磁偏吹、电弧周围气流的干扰引起的偏吹

C. 焊条偏向度过大引起的电弧偏吹、铁磁性物质引起的磁偏吹、焊条与工件的相对位置不对称引起的电弧偏吹

D. 焊条偏向度过大引起的电弧偏吹、铁磁性物质引起的磁偏吹、使用交流机焊接引起的电弧偏吹

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第34题

造成电弧产生磁偏吹的原因有以下几种:()。

A. 接地线位置不正确引起的电弧偏吹、铁磁性物质引起的磁偏吹、焊条与工件的相对位置不对称引起的电弧偏吹

B. 接地线位置不正确引起的电弧偏吹、铁磁性物质引起的磁偏吹、电弧周围气流的干扰引起的偏吹

C. 焊条偏向度过大引起的电弧偏吹、铁磁性物质引起的磁偏吹、焊条与工件的相对位置不对称引起的电弧偏吹

D. 焊条偏向度过大引起的电弧偏吹、铁磁性物质引起的磁偏吹、使用交流机焊接引起的电弧偏吹

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第35题

造成电弧产生磁偏吹的原因有以下几种:()。

A. 接地线位置不正确引起的电弧偏吹、铁磁性物质引起的磁偏吹、焊条与工件的相对位置不对称引起的电弧偏吹

B. 接地线位置不正确引起的电弧偏吹、铁磁性物质引起的磁偏吹、电弧周围气流的干扰引起的偏吹

C. 焊条偏向度过大引起的电弧偏吹、铁磁性物质引起的磁偏吹、焊条与工件的相对位置不对称引起的电弧偏吹

D. 焊条偏向度过大引起的电弧偏吹、铁磁性物质引起的磁偏吹、使用交流机焊接引起的电弧偏吹

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第36题

三极晶体管的特性曲线是用来表示该晶体管各极()之间相互关系的,它反映晶体管的性能,是分析放大电路的重要依据。

A. 电压和电流

B. 电压和电阻

C. 电流和电阻

D. 电压和电感

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第37题

三极晶体管的特性曲线是用来表示该晶体管各极()之间相互关系的,它反映晶体管的性能,是分析放大电路的重要依据。

A. 电压和电流

B. 电压和电阻

C. 电流和电阻

D. 电压和电感

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第38题

三极晶体管的特性曲线是用来表示该晶体管各极电压和电流之间相互关系的,它反映晶体管的性能,是分析放大电路的重要依据。

A. 正确

B. 错误

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第39题

有关二极管的叙述错误的是()。

A. 二极管是由一个PN结构成的

B. 面接触型二极管极间电容大宜用于高频电路中

C. 稳压管是一种用特殊工艺制造的面接触型硅半导体二极管

D. 二极管按PN结的材料可分为硅二极管和锗二极管

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第40题

有关二极管的叙述错误的是()。

A. 二极管是由一个PN结构成的

B. 面接触型二极管极间电容大宜用于高频电路中

C. 稳压管是一种用特殊工艺制造的面接触型硅半导体二极管

D. 二极管按PN结的材料可分为硅二极管和锗二极管

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第41题

有关二极管的叙述错误的是()。

A. 二极管是由一个PN结构成的

B. 面接触型二极管极间电容大宜用于高频电路中

C. 稳压管是一种用特殊工艺制造的面接触型硅半导体二极管

D. 二极管按PN结的材料可分为硅二极管和锗二极管

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第42题

有关二极管的叙述错误的是()。

A. 二极管是由一个PN结构成的

B. 面接触型二极管极间电容大宜用于高频电路中

C. 稳压管是一种用特殊工艺制造的面接触型硅半导体二极管

D. 二极管按PN结的材料可分为硅二极管和锗二极管

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第43题

有关二极管的叙述错误的是()。

A. 二极管是由一个PN结构成的

B. 面接触型二极管极间电容大宜用于高频电路中

C. 稳压管是一种用特殊工艺制造的面接触型硅半导体二极管

D. 二极管按PN结的材料可分为硅二极管和锗二极管

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第44题

在稳定性计算中,有可能发生两种情况:一是用细长杆的公式计算中长杆的临界压力;一是用中长杆的公式计算细长杆的临界压力。其后果是()。

A. 前者的结果偏于安全,后者偏于不安全

B. 二者的结果都偏于安全

C. 前者的结果偏于不安全,后者偏于安全

D. 二者的结果都偏于不安全

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第45题

在稳定性计算中,有可能发生两种情况:一是用细长杆的公式计算中长杆的临界压力;一是用中长杆的公式计算细长杆的临界压力。其后果是()。

A. 前者的结果偏于安全,后者偏于不安全

B. 二者的结果都偏于安全

C. 前者的结果偏于不安全,后者偏于安全

D. 二者的结果都偏于不安全

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第46题

在稳定性计算中,有可能发生两种情况:一是用细长杆的公式计算中长杆的临界压力;一是用中长杆的公式计算细长杆的临界压力。其后果是()。

A. 前者的结果偏于安全,后者偏于不安全

B. 二者的结果都偏于安全

C. 前者的结果偏于不安全,后者偏于安全

D. 二者的结果都偏于不安全

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第47题

在稳定性计算中,有可能发生两种情况:一是用细长杆的公式计算中长杆的临界压力;一是用中长杆的公式计算细长杆的临界压力。其后果是()。

A. 前者的结果偏于安全,后者偏于不安全

B. 二者的结果都偏于安全

C. 前者的结果偏于不安全,后者偏于安全

D. 二者的结果都偏于不安全

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第48题

在稳定性计算中,有可能发生两种情况:一是用细长杆的公式计算中长杆的临界压力;一是用中长杆的公式计算细长杆的临界压力。其后果是()。

A. 前者的结果偏于安全,后者偏于不安全

B. 二者的结果都偏于安全

C. 前者的结果偏于不安全,后者偏于安全

D. 二者的结果都偏于不安全

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第49题

当在PN结上加正向电压时,PN结处于()状态。

A. 击穿

B. 饱和

C. 截止

D. 导通

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第50题

当在PN结上加正向电压时,PN结处于(状态。

A. 窃

B. 饱和

C. 截止

D. 导通

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