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首页>试题列表>三极晶体管的特性曲线是用来表示该晶体管各极()之间相互关系的,它反映晶体管的性能,是分析放大电路的重要依据。
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[单选题]

三极晶体管的特性曲线是用来表示该晶体管各极()之间相互关系的,它反映晶体管的性能,是分析放大电路的重要依据。

A. 电压和电流

B. 电压和电阻

C. 电流和电阻

D. 电压和电感

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第1题

三极晶体管的特性曲线是用来表示该晶体管各极()之间相互关系的,它反映晶体管的性能,是分析放大电路的重要依据。

A. 电压和电流

B. 电压和电阻

C. 电流和电阻

D. 电压和电感

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第2题

三极晶体管的特性曲线是用来表示该晶体管各极()之间相互关系的,它反映晶体管的性能,是分析放大电路的重要依据。

A. 电压和电流

B. 电压和电阻

C. 电流和电阻

D. 电压和电感

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第3题

三极晶体管的特性曲线是用来表示该晶体管各极电压和电流之间相互关系的,它反映晶体管的性能,是分析放大电路的重要依据。

A. 正确

B. 错误

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第4题

三极晶体管的特性曲线是用来表示该晶体管各极电压和电流之间相互关系的,它反映晶体管的性能,是分析放大电路的重要依据。

A. 正确

B. 错误

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第5题

通常晶体管的输出特性曲线区分为()区。

A. 非饱和区

B. 饱和区

C. 截止区

D. 放大区

E. 线性区

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第6题

通常晶体管的输出特性曲线区分为()。

A. 非饱和区

B. 饱和区

C. 截止区

D. 放大区

E. 线性区

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第7题

晶闸管导通后,通过晶闸管的电流决定于()

A. 电路的负载

B. 晶闸管的电流容量

C. 晶闸管阴-阳极之间的电压

D. 晶闸管的参数

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第8题

晶闸管导通后,通过晶闸管的电流决定于()

A. 电路的负载

B. 晶闸管的电流容量

C. 晶闸管阴-阳极之间的电压

D. 晶闸管的参数

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第9题

晶闸管导通后,通过晶闸管的电流决定于()

A. 电路的负载

B. 晶闸管的电流容量

C. 晶闸管阴-阳极之间的电压

D. 晶闸管的参数

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第10题

晶闸管导通后,通过晶闸管的电流决定于()

A. 电路的负载

B. 晶闸管的电流容量

C. 晶闸管阴-阳极之间的电压

D. 晶闸管的参数

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第11题

晶闸管导通后,通过晶闸管的电流决定于()

A. 电路的负载

B. 晶闸管的电流容量

C. 晶闸管阴-阳极之间的电压

D. 晶闸管的参数

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第12题

晶体三极管的输出特性曲线区分为三个工作区,即()。

A. 线性区

B. 放大区

C. 截止区

D. 饱和区

E. 非线性区

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第13题

JT一1型晶体管特性图示仪是一种专用仪器,它可以在荧光屏上直接显示出晶体管的各种特性曲线。

A. 正确

B. 错误

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第14题

JT一1型晶体管特性图示仪是一种专用仪器,它可以在荧光屏上直接显示出晶体管的各种特性曲线。

A. 正确

B. 错误

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第15题

JT一1型晶体管特性图示仪是一种专用仪器,它可以在荧光屏上直接显示出晶体管的各种特性曲线。

A. 正确

B. 错误

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第16题

JT一1型晶体管特性图示仪是一种专用仪器,它可以在荧光屏上直接显示出晶体管的各种特性曲线。

A. 正确

B. 错误

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第17题

JT一1型晶体管特性图示仪是一种专用仪器,它可以在荧光屏上直接显示出晶体管的各种特性曲线。

A. 正确

B. 错误

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第18题

以下说法正确的是()。

A. 欧姆定律适用于金属导体导电,电解液导电,电离后气体导电,或者是晶体二极管,晶体极管导电

B. 流过导体的电流与加在它两端的电压成正比,与导体的电阻成反比

C. 流过导体的电流与加在它两端的电压成反比,与导体的电阻成正比

D. 导体的电阻大小与加在导体两端的电压成正比,与通过导体的电流成反比流成反比

E. 欧姆定律只适用于纯电阻电路

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第19题

CMOS集成逻辑门电路内部是以()为基本元件构成的。

A. 二极管

B. 晶体管

C. 晶闸管

D. 场效应晶体管

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第20题

CMOS集成逻辑门电路内部是以()为基本元件构成的。

A. 二极管

B. 晶体管

C. 晶闸管

D. 场效应晶体管

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第21题

CMOS集成逻辑门电路内部是以()为基本元件构成的。

A. 二极管

B. 晶体管

C. 晶闸管

D. 场效应晶体管

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第22题

CMOS集成逻辑门电路内部是以()为基本元件构成的。

A. 二极管

B. 晶体管

C. 晶闸管

D. 场效应晶体管

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第23题

CMOS集成逻辑门电路内部是以()为基本元件构成的。

A. 二极管

B. 晶体管

C. 晶闸管

D. 场效应晶体管

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第24题

晶体管特性图示仪是利用信号曲线在荧光屏通过()来直接读取被测晶体管的各项参数的。

A. 曲线高度

B. 曲线宽度

C. 荧光屏上标尺度

D. 曲线波形个数

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第25题

晶体管特性图示仪是利用信号曲线在荧光屏通过()来直接读取被测晶体管的各项参数的。

A. 曲线高度

B. 曲线宽度

C. 荧光屏上标尺度

D. 曲线波形个数

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第26题

晶体管特性图示仪是利用信号曲线在荧光屏通过()来直接读取被测晶体管的各项参数的。

A. 曲线高度

B. 曲线宽度

C. 荧光屏上标尺度

D. 曲线波形个数

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第27题

晶体管特性图示仪是利用信号曲线在荧光屏通过()来直接读取被测晶体管的各项参数的。

A. 曲线高度

B. 曲线宽度

C. 荧光屏上标尺度

D. 曲线波形个数

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第28题

晶体管特性图示仪是利用信号曲线在荧光屏通过()来直接读取被测晶体管的各项参数的。

A. 曲线高度

B. 曲线宽度

C. 荧光屏上标尺度

D. 曲线波形个数

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第29题

TTL集成逻辑门电路内部是以()为基本元件构成的。

A. 二极管

B. 晶体管l

C. 晶闸管

D. 场效应晶体管

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第30题

TTL集成逻辑门电路内部是以()为基本元件构成的。

A. 二极管

B. 晶体管l

C. 晶闸管

D. 场效应晶体管

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第31题

TTL集成逻辑门电路内部是以()为基本元件构成的。

A. 二极管

B. 晶体管l

C. 晶闸管

D. 场效应晶体管

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第32题

TTL集成逻辑门电路内部是以()为基本元件构成的。

A. 二极管

B. 晶体管l

C. 晶闸管

D. 场效应晶体管

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第33题

TTL集成逻辑门电路内部是以()为基本元件构成的。

A. 二极管

B. 晶体管l

C. 晶闸管

D. 场效应晶体管

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第34题

晶体三极管输出特性分为三个区分别是()。

A. 饱和区、截止区和开关区

B. 截止区饱和区和放大区

C. 开关区饱和区和导通区

D. 截止区开关区和放大区

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第35题

晶体三极管输出特性分为三个区分别是()。

A. 饱和区、截止区和开关区

B. 截止区饱和区和放大区

C. 开关区饱和区和导通区

D. 截止区开关区和放大区

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第36题

晶体三极管输出特性分为三个区分别是()。

A. 饱和区、截止区和开关区

B. 截止区饱和区和放大区

C. 开关区饱和区和导通区

D. 截止区开关区和放大区

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第37题

晶体三极管输出特性分为三个区分别是()。

A. 饱和区、截止区和开关区

B. 截止区饱和区和放大区

C. 开关区饱和区和导通区

D. 截止区开关区和放大区

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第38题

晶体三极管输出特性分为三个区分别是()。

A. 饱和区、截止区和开关区

B. 截止区饱和区和放大区

C. 开关区饱和区和导通区

D. 截止区开关区和放大区

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第39题

有关晶闸管作用的叙述中错误的是()。

A. 晶闸管是一种大功率半导体器件,它可以实现以微小的电信号对大功率电能进行控制或交换

B. 晶闸管具有电流放大作用

C. 可以应用交、直流的调压、交流开关等

D. 可以应用于整流和逆变等

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第40题

有关晶闸管作用的叙述中错误的是()。

A. 晶闸管是一种大功率半导体器件,它可以实现以微小的电信号对大功率电能进行控制或交换

B. 晶闸管具有电流放大作用

C. 可以应用交、直流的调压、交流开关等

D. 可以应用于整流和逆变等

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第41题

有关晶闸管作用的叙述中错误的是()。

A. 晶闸管是一种大功率半导体器件,它可以实现以微小的电信号对大功率电能进行控制或交换

B. 晶闸管具有电流放大作用

C. 可以应用交、直流的调压、交流开关等

D. 可以应用于整流和逆变等

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第42题

有关晶闸管作用的叙述中错误的是()。

A. 晶闸管是一种大功率半导体器件,它可以实现以微小的电信号对大功率电能进行控制或交换

B. 晶闸管具有电流放大作用

C. 可以应用交、直流的调压、交流开关等

D. 可以应用于整流和逆变等

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第43题

有关晶闸管作用的叙述中错误的是()。

A. 晶闸管是一种大功率半导体器件,它可以实现以微小的电信号对大功率电能进行控制或交换

B. 晶闸管具有电流放大作用

C. 可以应用交、直流的调压、交流开关等

D. 可以应用于整流和逆变等

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第44题

晶体三极管工作在放大状态的条件是()。

A. 发射极反偏,集电极正偏

B. 发射极反偏,集电极反偏

C. 发射极正偏,集电极正偏

D. 发射极正偏,集电极反偏

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第45题

有关二极管的叙述错误的是()。

A. 二极管是由一个PN结构成的

B. 面接触型二极管极间电容大宜用于高频电路中

C. 稳压管是一种用特殊工艺制造的面接触型硅半导体二极管

D. 二极管按PN结的材料可分为硅二极管和锗二极管

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第46题

有关二极管的叙述错误的是()。

A. 二极管是由一个PN结构成的

B. 面接触型二极管极间电容大宜用于高频电路中

C. 稳压管是一种用特殊工艺制造的面接触型硅半导体二极管

D. 二极管按PN结的材料可分为硅二极管和锗二极管

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第47题

有关二极管的叙述错误的是()。

A. 二极管是由一个PN结构成的

B. 面接触型二极管极间电容大宜用于高频电路中

C. 稳压管是一种用特殊工艺制造的面接触型硅半导体二极管

D. 二极管按PN结的材料可分为硅二极管和锗二极管

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第48题

有关二极管的叙述错误的是()。

A. 二极管是由一个PN结构成的

B. 面接触型二极管极间电容大宜用于高频电路中

C. 稳压管是一种用特殊工艺制造的面接触型硅半导体二极管

D. 二极管按PN结的材料可分为硅二极管和锗二极管

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第49题

有关二极管的叙述错误的是()。

A. 二极管是由一个PN结构成的

B. 面接触型二极管极间电容大宜用于高频电路中

C. 稳压管是一种用特殊工艺制造的面接触型硅半导体二极管

D. 二极管按PN结的材料可分为硅二极管和锗二极管

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第50题

由晶体管组成的共发射极、共基极、共集电极三种放大电路中,电压放大倍数最小的是()。

A. 共发射极电路

B. 共集电极电路

C. 共基极电路

D. 三者差不多

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