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[判断题]

对于晶体,食盐、水结成冰都是晶体。

A. 正确

B. 错误

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第1题

对于晶体,食盐、水结成冰都是晶体。

A. 正确

B. 错误

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第2题

对硝基苯胺描述正确的是（）。

A. 黄色晶体,微溶于冷水,溶于沸水、乙醇、苯和酸溶液

B. 白色晶体,微溶于冷水,溶于沸水、乙醇、苯和酸溶液

C. 黄色晶体,易溶于冷水,不溶于沸水、乙醇、苯和酸溶液

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第3题

加入无机酸可使原来不溶性芳胺()。

A. 结晶析出

B. 分解

C. 变成季铵盐

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第4题

能够完整地反映晶格特征的最小几何单元称为（）。

A. 晶粒

B. 晶胞

C. 晶面

D. 晶体

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第5题

能够完整地反映晶格特征的最小几何单元称为（）。

A. 晶粒

B. 晶胞

C. 晶面

D. 晶体

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第6题

能够完整地反映晶格特征的最小几何单元称为（）。

A. 晶粒

B. 晶胞

C. 晶面

D. 晶体

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第7题

三极晶体管的结构，目前常用的有（）种类型。

A. 1

B. 2

C. 3

D. 4

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第8题

三极晶体管的结构，目前常用的有平面型和合金型两类。不论平面型或合全型都分成NPN或PNP三层，因此又把晶体三极管分为NPN和PNP两种类型。

A. 正确

B. 错误

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第9题

三极晶体管的结构，目前常用的有（）种类型。

A. 1

B. 2

C. 3

D. 4

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第10题

CMOS集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。

A. 二极管

B. 晶体管

C. 晶闸管

D. 场效应晶体管

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第11题

CMOS集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。

A. 二极管

B. 晶体管

C. 晶闸管

D. 场效应晶体管

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第12题

CMOS集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。

A. 二极管

B. 晶体管

C. 晶闸管

D. 场效应晶体管

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第13题

CMOS集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。

A. 二极管

B. 晶体管

C. 晶闸管

D. 场效应晶体管

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第14题

CMOS集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。

A. 二极管

B. 晶体管

C. 晶闸管

D. 场效应晶体管

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第15题

TTL集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。

A. 二极管

B. 晶体管l

C. 晶闸管

D. 场效应晶体管

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第16题

TTL集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。

A. 二极管

B. 晶体管l

C. 晶闸管

D. 场效应晶体管

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第17题

TTL集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。

A. 二极管

B. 晶体管l

C. 晶闸管

D. 场效应晶体管

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第18题

TTL集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。

A. 二极管

B. 晶体管l

C. 晶闸管

D. 场效应晶体管

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第19题

TTL集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。

A. 二极管

B. 晶体管l

C. 晶闸管

D. 场效应晶体管

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第20题

如果溶液中没有任何固体颗粒，不管是结晶出来的物体还是外来颗粒，晶核的生成必定在晶体生长开始之前出现。

A. 正确

B. 错误

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第21题

表示在不同温度的条件下，不同含碳量的铁碳合金所处的状态、晶体结构及显微组织特征的图称为（）。

A. 金属结晶过程图

B. 体心立方晶格图

C. 面心立方晶格图

D. 铁碳合金状态图

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第22题

干燥机的干燥速度与（）无关。

A. 晶体密度

B. 停留时间

C. 晶体几何形状

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第23题

产生冷裂纹的主要因素有三个方面：即（）；焊接接头受到较大的拘束应力；较多扩散氢的存在和聚集。

A. 形成奥氏体组织

B. 钢材的淬硬倾向大，产生淬硬组织

C. 存在低熔点共晶

D. 一次结晶组织粗大

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第24题

产生冷裂纹的主要因素有三个方面：即（）；焊接接头受到较大的拘束应力；较多扩散氢的存在和聚集。

A. 形成奥氏体组织

B. 钢材的淬硬倾向大，产生淬硬组织

C. 存在低熔点共晶

D. 一次结晶组织粗大

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第25题

产生冷裂纹的主要因素有三个方面：即（）；焊接接头受到较大的拘束应力；较多扩散氢的存在和聚集。

A. 形成奥氏体组织

B. 钢材的淬硬倾向大，产生淬硬组织

C. 存在低熔点共晶

D. 一次结晶组织粗大

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第26题

焊缝中的偏析、夹杂、气孔缺陷是在焊接熔池的（）过程中产生的。

A. 一次结晶

B. 二次结晶

C. 三次结晶

D. 一、二次结晶

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第27题

纯铁在常温下的晶格是()。

A. 体心立方晶格

B. 面心立方晶格

C. 密排六方晶格

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第28题

焊缝中的偏析、夹渣、气孔等是在焊接熔池（）过程中产生的。

A. 一次结晶

B. 二次结晶

C. 三次结晶

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第29题

重氮盐在碱性环境中()。

A. 可生成无偶合能力的反式重氮酸盐

B. 可生成有偶合能力的反式重氮酸盐

C. 结晶析出

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第30题

利用X射线轰击样品，测量所产生的衍射X射线强度的空间分布，以确定样品的微观结构的仪器。X射线衍射分析法是研究物质的（）的主要方法。

A. 体积

B. 质量

C. 物理状态

D. 微观结构

E. 晶体结构

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第31题

乙炔和水接触,在一定的温度、压力条件下,能生成固态冰雪状晶体,称为乙炔的水合物,由（）组成。

A. 2分子水和1分子乙炔

B. 6分子水和1分子乙炔

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第32题

低碳钢由于（），所以显微偏析不严重。

A. 结晶区间很大

B. 结晶区间不大

C. 结晶区间极大

D. 结晶区间不小

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第33题

低碳钢由于（），所以显微偏析不严重。

A. 结晶区间很大

B. 结晶区间不大

C. 结晶区间极大

D. 结晶区间不小

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第34题

低碳钢由于（），所以显微偏析不严重。

A. 结晶区间很大

B. 结晶区间不大

C. 结晶区间极大

D. 结晶区间不小

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第35题

三极晶体管的特性曲线是用来表示该晶体管各极（）之间相互关系的，它反映晶体管的性能，是分析放大电路的重要依据。

A. 电压和电流

B. 电压和电阻

C. 电流和电阻

D. 电压和电感

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第36题

三极晶体管的特性曲线是用来表示该晶体管各极（）之间相互关系的，它反映晶体管的性能，是分析放大电路的重要依据。

A. 电压和电流

B. 电压和电阻

C. 电流和电阻

D. 电压和电感

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第37题

三极晶体管的特性曲线是用来表示该晶体管各极电压和电流之间相互关系的，它反映晶体管的性能，是分析放大电路的重要依据。

A. 正确

B. 错误

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第38题

压焊的另一种形式是不加热，在被焊金属的接触面上施加足够大的压力，借助于压力所引起的塑性变形，以使（）相互接近而获得牢固的压挤接头。

A. 分子间

B. 晶格间

C. 晶体间

D. 原子间

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第39题

压焊的另一种形式是不加热，在被焊金属的接触面上施加足够大的压力，借助于压力所引起的塑性变形，以使（）相互接近而获得牢固的压挤接头。

A. 分子间

B. 晶格间

C. 晶体间

D. 原子间

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第40题

压焊的另一种形式是不加热，在被焊金属的接触面上施加足够大的压力，借助于压力所引起的塑性变形，以使（）相互接近而获得牢固的压挤接头。

A. 分子间

B. 晶格间

C. 晶体间

D. 原子间

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第41题

()是由原子、离子或分子在空间按一定规律周期性地重复排列构成的固体。

A. 固体

B. 液体

C. 气体

D. 晶体

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第42题

焊接熔池一次结晶是从（）开始，晶体向着散热相反的方向长大。

A. 熔合区

B. 过热区

C. 正火区

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第43题

高氯酸钾为无色晶体或（）。

A. 蓝色结晶粉末

B. 黄色结晶粉末

C. 白色结晶粉末

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第44题

（）是人们知识和经验的结晶产物，是通过语言、文字的提炼和积累而成的智力。

A. 结晶智力

B. 液态智力

C. 固态智力

D. 感官功能

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第45题

TTL门电路是晶体管一晶体管逻辑门电路的简称。

A. 正确

B. 错误

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第46题

TTL门电路是晶体管一晶体管逻辑门电路的简称。

A. 正确

B. 错误

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第47题

TTL门电路是晶体管一晶体管逻辑门电路的简称。

A. 正确

B. 错误

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第48题

TTL门电路是晶体管一晶体管逻辑门电路的简称。

A. 正确

B. 错误

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第49题

TTL门电路是晶体管一晶体管逻辑门电路的简称。

A. 正确

B. 错误

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第50题

在中性氯盐中加入少量钎剂,如硼砂,冰晶石等,可以降低盐浴的抗氧化能力。

A. 正确

B. 错误

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语音搜题、查看答案	1/每题	2/每次
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