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第1题
要使晶闸管导通所必须具备的条件是晶闸管阳极与阴极间加上正向电压，（）。
A.
门极对阴极同时加上适当的正向电压
B.
门极对阴极同时加上适当的反向电压
C.
阳极对阴极同时加上适当的正向电压
D.
阳极对阴极同时加上适当的反向电压
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第2题
要使晶闸管导通所必须具备的条件是晶闸管阳极与阴极间加上正向电压，（）。
A.
门极对阴极同时加上适当的正向电压
B.
门极对阴极同时加上适当的反向电压
C.
阳极对阴极同时加上适当的正向电压
D.
阳极对阴极同时加上适当的反向电压
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第3题
要使晶闸管导通所必须具备的条件是晶闸管阳极与阴极间加上正向电压，（）。
A.
门极对阴极同时加上适当的正向电压
B.
门极对阴极同时加上适当的反向电压
C.
阳极对阴极同时加上适当的正向电压
D.
阳极对阴极同时加上适当的反向电压
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第4题
要使晶闸管导通所必须具备的条件是晶闸管阳极与阴极间加上正向电压，（）。
A.
门极对阴极同时加上适当的正向电压
B.
门极对阴极同时加上适当的反向电压
C.
阳极对阴极同时加上适当的正向电压
D.
阳极对阴极同时加上适当的反向电压
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第5题
要使晶闸管导通所必须具备的条件是晶闸管阳极与阴极间加上正向电压，（）。
A.
门极对阴极同时加上适当的正向电压
B.
门极对阴极同时加上适当的反向电压
C.
阳极对阴极同时加上适当的正向电压
D.
阳极对阴极同时加上适当的反向电压
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第6题
在晶闸管阳极与阴极加上正向电压，就可以使它导通。
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第7题
晶闸管导通后，通过晶闸管的电流决定于（）
A.
电路的负载
B.
晶闸管的电流容量
C.
晶闸管阴-阳极之间的电压
D.
晶闸管的参数
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第8题
晶闸管导通后，通过晶闸管的电流决定于（）
A.
电路的负载
B.
晶闸管的电流容量
C.
晶闸管阴-阳极之间的电压
D.
晶闸管的参数
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第9题
晶闸管导通后，通过晶闸管的电流决定于（）
A.
电路的负载
B.
晶闸管的电流容量
C.
晶闸管阴-阳极之间的电压
D.
晶闸管的参数
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第10题
晶闸管导通后，通过晶闸管的电流决定于（）
A.
电路的负载
B.
晶闸管的电流容量
C.
晶闸管阴-阳极之间的电压
D.
晶闸管的参数
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第11题
晶闸管导通后，通过晶闸管的电流决定于（）
A.
电路的负载
B.
晶闸管的电流容量
C.
晶闸管阴-阳极之间的电压
D.
晶闸管的参数
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第12题
电流截止负反馈的截止方法不仅可以用电压比较方法，而且可以在反馈回路中对接一个（）来实现。
A.
晶闸管
B.
三极管
C.
单晶
D.
稳压管
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第13题
对阴极（阳极）保护装置的管道检查重点是。
A.
阴极（阳极）与电源之间的连接线是否开裂
B.
阴极（阳极）与管道之间的距离
C.
牺牲阳极中阳极金属消耗情况
D.
外加电源工作是否正常
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第14题
晶闸管在正向阳极电压作用下,不导通范围叫不导通角,用α表示,而导通的范围称为导通角,用θ表示。
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第15题
CMOS集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。
A.
二极管
B.
晶体管
C.
晶闸管
D.
场效应晶体管
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第16题
CMOS集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。
A.
二极管
B.
晶体管
C.
晶闸管
D.
场效应晶体管
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第17题
CMOS集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。
A.
二极管
B.
晶体管
C.
晶闸管
D.
场效应晶体管
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第18题
CMOS集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。
A.
二极管
B.
晶体管
C.
晶闸管
D.
场效应晶体管
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第19题
CMOS集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。
A.
二极管
B.
晶体管
C.
晶闸管
D.
场效应晶体管
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第20题
晶闸管控制极电压一般要求正向电压、反向电压分别不超过（）。
A.
10V，5V
B.
5V，10V
C.
10V，10V
D.
5V，5V
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第21题
晶闸管控制极电压一般要求正向电压、反向电压分别不超过（）。
A.
10V，5V
B.
5V，10V
C.
10V，10V
D.
5V，5V
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第22题
晶闸管控制极电压一般要求正向电压、反向电压分别不超过（）。
A.
10V，5V
B.
5V，10V
C.
10V，10V
D.
5V，5V
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第23题
晶闸管控制极电压一般要求正向电压、反向电压分别不超过（）。
A.
10V，5V
B.
5V，10V
C.
10V，10V
D.
5V，5V
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第24题
晶闸管控制极电压一般要求正向电压、反向电压分别不超过（）。
A.
10V，5V
B.
5V，10V
C.
10V，10V
D.
5V，5V
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第25题
TTL集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。
A.
二极管
B.
晶体管l
C.
晶闸管
D.
场效应晶体管
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第26题
TTL集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。
A.
二极管
B.
晶体管l
C.
晶闸管
D.
场效应晶体管
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第27题
TTL集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。
A.
二极管
B.
晶体管l
C.
晶闸管
D.
场效应晶体管
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第28题
TTL集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。
A.
二极管
B.
晶体管l
C.
晶闸管
D.
场效应晶体管
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第29题
TTL集成逻辑门电路内部是以（）为基本元件构成的。
A.
二极管
B.
晶体管l
C.
晶闸管
D.
场效应晶体管
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第30题
晶闸管导通后,门极的触发电压就不再起作用了。
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第31题
晶闸管触发导通后，其控制极对主电路（）。
A.
仍有控制作用
B.
失去控制作用
C.
有时仍有控制作用
D.
控制作用与自身参数有关
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第32题
晶闸管触发导通后，其控制极对主电路（）。
A.
仍有控制作用
B.
失去控制作用
C.
有时仍有控制作用
D.
控制作用与自身参数有关
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第33题
晶闸管触发导通后，其控制极对主电路（）。
A.
仍有控制作用
B.
失去控制作用
C.
有时仍有控制作用
D.
控制作用与自身参数有关
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第34题
晶闸管触发导通后，其控制极对主电路（）。
A.
仍有控制作用
B.
失去控制作用
C.
有时仍有控制作用
D.
控制作用与自身参数有关
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第35题
晶闸管触发导通后，其控制极对主电路（）。
A.
仍有控制作用
B.
失去控制作用
C.
有时仍有控制作用
D.
控制作用与自身参数有关
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第37题
在交流调压器中，晶闸管元件一般为（）的两只普通晶闸管或双向晶闸管。
A.
并联
B.
串联
C.
反并联
D.
反串联
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第38题
在交流调压器中，晶闸管元件一般为（）的两只普通晶闸管或双向晶闸管。
A.
并联
B.
串联
C.
反并联
D.
反串联
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第39题
在交流调压器中，晶闸管元件一般为（）的两只普通晶闸管或双向晶闸管。
A.
并联
B.
串联
C.
反并联
D.
反串联
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第40题
在交流调压器中，晶闸管元件一般为（）的两只普通晶闸管或双向晶闸管。
A.
并联
B.
串联
C.
反并联
D.
反串联
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第41题
在交流调压器中，晶闸管元件一般为（）的两只普通晶闸管或双向晶闸管。
A.
并联
B.
串联
C.
反并联
D.
反串联
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第42题
下列说法正确的是：（）。
A.
焊条电弧焊阳极温度比阴极温度高一些，这是由于阳离子撞击阴极斑点要消耗一部分能量所致
B.
焊条电弧焊阳极温度比阴极温度高一些，这是由于阴极发射离子要消耗一部分能量所致
C.
焊条电弧焊阳极温度比阴极温度高一些，这是由于阴极发射电子要消耗一部分能量所致
D.
焊条电弧焊阴极温度比阳极温度高一些，这是由于负离子撞击阴极斑点要消耗一部分能量所致
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第43题
下列说法正确的是：（）。
A.
焊条电弧焊阳极温度比阴极温度高一些，这是由于阳离子撞击阴极斑点要消耗一部分能量所致
B.
焊条电弧焊阳极温度比阴极温度高一些，这是由于阴极发射离子要消耗一部分能量所致
C.
焊条电弧焊阳极温度比阴极温度高一些，这是由于阴极发射电子要消耗一部分能量所致
D.
焊条电弧焊阴极温度比阳极温度高一些，这是由于负离子撞击阴极斑点要消耗一部分能量所致
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第44题
下列说法正确的是：（）。
A.
焊条电弧焊阳极温度比阴极温度高一些，这是由于阳离子撞击阴极斑点要消耗一部分能量所致
B.
焊条电弧焊阳极温度比阴极温度高一些，这是由于阴极发射离子要消耗一部分能量所致
C.
焊条电弧焊阳极温度比阴极温度高一些，这是由于阴极发射电子要消耗一部分能量所致
D.
焊条电弧焊阴极温度比阳极温度高一些，这是由于负离子撞击阴极斑点要消耗一部分能量所致
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第45题
单相半波晶闸管整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压为输入电源电压的（）。
A.
平均值
B.
有效值
C.
峰值
D.
2倍
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第46题
单相半波晶闸管整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压为输入电源电压的（）。
A.
平均值
B.
有效值
C.
峰值
D.
2倍
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第47题
单相半波晶闸管整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压为输入电源电压的（）。
A.
平均值
B.
有效值
C.
峰值
D.
2倍
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第48题
单相半波晶闸管整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压为输入电源电压的（）。
A.
平均值
B.
有效值
C.
峰值
D.
2倍
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第49题
单相半波晶闸管整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压为输入电源电压的（）。
A.
平均值
B.
有效值
C.
峰值
D.
2倍
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第50题
晶闸管电路中，如果脉冲变压器极性接反，可能发生的故障是（）。
A.
烧断熔断器芯
B.
晶闸管不导通
C.
晶闸管自行导通
D.
反馈调节不稳定
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搜题
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