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在P型半导体中,()是少数载流子。

A. 空穴

B. 电子

C. 硅

D. 锗

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第1题

在P型半导体中,()是少数载流子。

A. 空穴

B. 电子

C. 硅

D. 锗

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第2题

在P型半导体中,()是少数载流子。

A. 空穴

B. 电子

C. 硅

D. 锗

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第3题

在P型半导体中,()是少数载流子。

A. 空穴

B. 电子

C. 硅

D. 锗

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第4题

在P型半导体中,()是少数载流子。

A. 空穴

B. 电子

C. 硅

D. 锗

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第5题

在P型半导体中,()是少数载流子。

A. 空穴

B. 电子

C. 硅

D. 锗

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第6题

在P型半导体中,()是多数载流子。

A. 空穴

B. 电子

C. 硅

D. 锗

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第7题

在P型半导体中,()是多数载流子。

A. 空穴

B. 电子

C. 硅

D. 锗

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第8题

在P型半导体中,()是多数载流子。

A. 空穴

B. 电子

C. 硅

D. 锗

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第9题

在P型半导体中,()是多数载流子。

A. 空穴

B. 电子

C. 硅

D. 锗

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第10题

在P型半导体中,()是多数载流子。

A. 空穴

B. 电子

C. 硅

D. 锗

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第11题

在N型半导体中,()是多数载流子。

A. 空穴

B. 硅

C. 电子

D. 锗

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第12题

在N型半导体中,()是多数载流子。

A. 空穴

B. 硅

C. 电子

D. 锗

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第13题

在N型半导体中,()是多数载流子。

A. 空穴

B. 硅

C. 电子

D. 锗

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第14题

在N型半导体中,()是多数载流子。

A. 空穴

B. 硅

C. 电子

D. 锗

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第15题

在N型半导体中,()是多数载流子。

A. 空穴

B. 硅

C. 电子

D. 锗

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第16题

铜是导体。

A. 正确

B. 错误

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第17题

关于放射性核素的半衰期,下面正确的说法是()。

A. 半衰期都一样长

B. 放射性核素的原子数中的一半发生衰变的时间

C. 放射性核素的原子数减少至原有值的一半所需的时间

D. 半衰期有的长有的短

E. 对某一核素来说是固定的

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第18题

73Li4中,各个字母和数字的含义正确的是()。

A. 左上角的7表示的是质子数

B. 右下角的4表示的是质子数

C. 左上角的7表示的是核子数,等于质子数加上中子数

D. 左下角的3表示的是中子数

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第19题

单极性半导体器件是()。

A. 双极性二极管

B. 二极管

C. 场效应管

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第20题

建设电子文件形成单位在实施离线式归档时,正确的做法是()。

A. 将已整理好的建设电子文件及其著录数据、元数据、各种管理登记数据等分案件按要求从原系统中导出

B. 将导出的建设电子文件及其著录数据、元数据、各种管理登记数据等按照要求存储到耐久性好的载体上

C. 同一案件的电子文件及其著录数据、元数据、各种管理登记数据等存储在不同载

D. 对存储的建设电子文件进行检验

E. 在存储建设电子文件的载体或装具上编制封面

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第21题

核子仪常用的探测器有:闪烁探测器、气体探测器、半导体探测器,其中气体探测器主要包括正比计数器、盖革计数器和()等类型。

A. 电离室

B. 碘化钠计数器

C. 液体闪烁计数器

D. 高纯锗探测器

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第22题

下列关于P/E和EV/EBITDA的说法中,错误的是()。

A. 在EV/EBITDA方法中,要最终得到对股票市值的估计,还必须减去债权的价值

B. P/E和EV/EBITDA反映的都是市场价值和收益指标之间的比例关系

C. P/E是从全体投资人的角度出发,而EV/EBITDA是从股东的角度出发

D. EV/EBITDA更适用于单一业务或子公司较少的公司估值

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第23题

导体中的电流由电子流形成,故规定电子流的方向就是电流的正方向。

A. 正确

B. 错误

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第24题

导体中的电流由电子流形成,故规定电子流的方向就是电流的正方向。

A. 正确

B. 错误

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第25题

导体中的电流由电子流形成,故规定电子流的方向就是电流的正方向。

A. 正确

B. 错误

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第26题

导体中的电流由电子流形成,故规定电子流的方向就是电流的正方向。

A. 正确

B. 错误

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第27题

导体中的电流由电子流形成,故规定电子流的方向就是电流的正方向。

A. 正确

B. 错误

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第28题

可燃气体探测器可分为()

A. 固体电解质型

B. 光电型

C. 气敏半导体型

D. 催化燃烧型

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第29题

元素周期表是()。

A. 伦琴发明的。

B. 元素排列是没有规律的。

C. 同一个格子中的原子,其核内中子数都相同。

D. 将具有相同质子数的原子放在同一个格子里形成的表。

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第30题

低压电网中的TN-C-S系统,整个系统内()。

A. 中性线(零线)N和保护线P是合用的

B. 中性线(零线)N与保护线P是分开的

C. 中性线(零线)N与保护线P是部分合用的

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第31题

三相负载有功功率的表达式为()。

A. P=UIcosφ

B. P=Scosφ

C. P=√3UIcosφ

D. cosφ=P/S

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第32题

三相负载有功功率的表达式为()。

A. P=UIcosφ

B. P=Scosφ

C. P=√3UIcosφ

D. cosφ=P/S

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第33题

三相负载有功功率的表达式为()。

A. P=UIcosφ

B. P=Scosφ

C. P=√3UIcosφ

D. cosφ=P/S

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第34题

三相负载有功功率的表达式为()。

A. P=UIcosφ

B. P=Scosφ

C. P=√3UIcosφ

D. cosφ=P/S

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第35题

三相负载有功功率的表达式为()。

A. P=UIcosφ

B. P=Scosφ

C. P=√3UIcosφ

D. cosφ=P/S

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第36题

三相负载有功功率的表达式为()。

A. P=UIcosφ

B. P=Scosφ

C. P=√3UIcosφ

D. cosφ=P/S

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第37题

额定载重量500kg电动、单层爬升式高处作业吊篮的型号是()。

A. 高处作业吊篮ZLP500GB19155

B. 高处作业吊篮2ZLP500AGB19155

C. 高处作业吊篮ZLSP500GB19155

D. 高处作业吊篮ZLQP500GB19155

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第38题

关于元素周期表,下面正确的说法是()。

A. 每一种元素占据元素周期表的一个格子。

B. 元素周期表是按原子核内的中子数排列的。

C. 元素周期表是按原子核内的质子数排列的。

D. 元素周期表是门捷列夫发明的。

E. 元素周期表是按核内中子数和质子数之和排列的。

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第39题

PNP型和NPN型三极管,其基极都是N型半导体。

A. 正确

B. 错误

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第40题

PNP型和NPN型三极管,其基极都是N型半导体。

A. 正确

B. 错误

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第41题

PNP型和NPN型三极管,其基极都是N型半导体。

A. 正确

B. 错误

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第42题

PNP型和NPN型三极管,其基极都是N型半导体。

A. 正确

B. 错误

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第43题

PNP型和NPN型三极管,其基极都是N型半导体。

A. 正确

B. 错误

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第44题

以下说法正确的是()。

A. 欧姆定律适用于金属导体导电,电解液导电,电离后气体导电,或者是晶体二极管,晶体极管导电

B. 流过导体的电流与加在它两端的电压成正比,与导体的电阻成反比

C. 流过导体的电流与加在它两端的电压成反比,与导体的电阻成正比

D. 导体的电阻大小与加在导体两端的电压成正比,与通过导体的电流成反比流成反比

E. 欧姆定律只适用于纯电阻电路

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第45题

标识原子,可以用()。

A. 质子数

B. 中子数

C. 核外电子数

D. 质子数和中子数

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第46题

载流导体在磁场中会受到磁力作用。

A. 正确

B. 错误

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第47题

载流导体在磁场中将会受到()的作用。

A. 电磁力

B. 磁通

C. 电动势

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第48题

为了保证用电过程中系统能够安全、可靠地运行,并对系统本身在运行过程中可能出现的诸如()等故障进行自我保护,在系统结构配置中必须设置一些与保护要求相适应的子系统。而这些子系统的组合就是用电系统的基本保护系统。

A. 接地

B. 短路

C. 过载

D. 漏电

E. 腐蚀

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第49题

半导体整流电路中,使用的整流二极管应选用()。

A. 变容二极管

B. 点接触型二极管

C. 面接触型二极管

D. 线接触型二极管

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第50题

半导体整流电路中,使用的整流二极管应选用()。

A. 变容二极管

B. 点接触型二极管

C. 面接触型二极管

D. 线接触型二极管

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